系統(tǒng)配置 |
CPU |
Huawei EC-Core-L,基于ARM Cortex A9雙核處理器,主頻≥700M |
內(nèi)存 |
核心板板載512MB DDR3內(nèi)存 |
存儲設(shè)備 |
存儲 |
1G FLASH(核心板板載) |
I/O接口 |
前置 |
1個(gè)千兆RJ45網(wǎng)絡(luò)接口, 1個(gè)Console調(diào)試串口, 4個(gè)三線RS485串口, 2個(gè)三線RS232串口 2個(gè)SIM卡槽, 1個(gè)LORA天線SMB接口, 1個(gè)4G天線SMB接口, 1個(gè)支持熱拔插的USB口 |
后置 |
3個(gè)千兆RJ45網(wǎng)絡(luò)接口, 1個(gè)船型開關(guān), 1個(gè)5Pin三相載波HPLC口電源接口 1個(gè)外殼接地端子, 1個(gè)3Pin電源接口 |
指示燈 |
前面板指示燈:RUN、ALM、CTL、WAN、PWR、MCU、LTE和電以太網(wǎng)口連接、數(shù)據(jù)燈 后面板指示燈:電以太網(wǎng)口連接、數(shù)據(jù)燈 |
電源模塊 |
單電源,輸入范圍 AC85V~265V OR DC40~ 370V;頻率 47~ 63Hz |
機(jī)箱尺寸 |
含掛耳尺寸: 266.6mm×224mm×44mm 不含掛耳尺寸: 224mm×225.6mm×44mm |
凈重 |
4.5Kg(不包含包裝、配件重量) |
顏色 |
銀白色 |
溫度 |
LTE最大發(fā)射功率情況;-25℃~+65℃ LTE典型發(fā)射功率情況:-25℃~+70℃ 存儲溫度:-40℃~+85℃ |
濕度 |
5%到95%(非凝結(jié)) |
電磁兼 容性 |
GB/T 15153.1- 1998 |
裝置應(yīng)能承受規(guī)定的嚴(yán)酷等級為Ⅲ的干擾試驗(yàn),試驗(yàn)頻率為1MHz,試驗(yàn)電壓為共模2500V,差模1000V的衰減振 蕩波干擾試驗(yàn) |
GB/T 15153.1- 1998 GB/T 17626.x |
裝置能承受GB/T15153.1-1998 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的Ⅳ級(接觸放電8kV)靜電放電干擾試驗(yàn) GB/T 17626.3-2006射頻電磁場輻射抗擾度(III)級 GB/T 17626.4-2006沖脈群抗擾度(IV)級 GB/T 17626.5-2008浪涌(沖擊)抗擾度(IV)級 GB/T 17626.6-2017傳導(dǎo)抗擾度(III)級 GB/T 17626.8-2006工頻磁場擾抗擾度(V)級 GB/T 17626.9-1998脈沖磁場抗擾度(V)級 GB/T 17626.10-2017阻尼振蕩磁場抗擾度(IV)級 GB/T 17626.12-1998 振蕩波抗擾度試驗(yàn)(III/IV)級 |
其它干擾 |
裝置通過了符合1000kV工程要求的其它電磁干擾試驗(yàn) |
安規(guī) |
GB/T14598.3- 2006(eqv IEC60255-5) |
介質(zhì)強(qiáng)度:規(guī)定的交流電壓為2.5kV(強(qiáng)電回路)或500V(弱電回路)、頻率為50Hz、歷時(shí)1min 的介質(zhì)強(qiáng)度試驗(yàn),而無 擊穿和閃絡(luò)現(xiàn)象。 絕緣電阻:用開路電壓為500V的測試儀器測定裝置的絕緣電阻值不小于100MΩ 沖擊電壓:峰值為5kV(強(qiáng)電回路)或1kV(弱電回路)的標(biāo)準(zhǔn)雷電波的沖擊電壓試驗(yàn) 漏電流:對地漏電流≤3.5mA |
機(jī)械環(huán)境適應(yīng)性 |
抗振動:裝置能承受GB/T 11287(idt IEC60255-21-1)規(guī)定的I級振動響應(yīng)和振動耐受試驗(yàn) 抗沖擊:裝置能承受GB/T 14537(idt IEC60255-21-2)規(guī)定的I級沖擊響應(yīng)和沖擊耐受試驗(yàn),以及I級碰撞試驗(yàn) 熱性能(過載能力):裝置的熱性能(過載能力)符合DL/T478-2001的以下規(guī)定: 電源回路:80%~115%額定電壓,連續(xù)工作。 |
可靠性 |
平均無故障工作時(shí)間:MTBF≥50000h 平均維修時(shí)間:MTTR≤0.5h |